제품소개 > Mask Process > Process flow
Quartz 위에 Cr/CrO2를 sputtering하고 그 위에 resist를 coating 한다.
E-beam 이나 Laser를 사용하여 pattern을 형성시키기 위하여 노광을 한다.
Develop을 하여 resist의 pattern을 형성한다.
Cr/CrO2 층을 건식식각 장치를 사용하여 식각한다.
Resist를 strip 한 후 cleaning을 한다.
Dark (Cr/CrO2) pattern이나 space (Quartz) pattern의 CD(critical dimension)을 측정한다.
Mask 에서 pattern의 position accuracy를 측정한다.
Design pattern 이외의 defect을 검출하여 수정을 한다.
Cleaning을 하여 particle을 제거한다.
Mask pattern 위에 오염이 되지 않도록 하기 위하여 pellicle을 덮는다.
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Develop을 하여 resist의 pattern을 형성한다.
Cr/CrO2 층을 건식식각 장치를 사용하여 식각한다. 
Resist를 strip 한 후 cleaning을 한다.
Dark (Cr/CrO2) pattern이나 space (Quartz)
pattern의 CD(critical dimension)을 측정한다.
Design pattern 이외의 defect을 검출하여 수정을 한다.
Cleaning을 하여 particle을 제거한다.
Mask pattern 위에 오염이 되지 않도록 하기 위하여 pellicle을
덮는다.