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제품소개 > Mask Technology > OPC
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OPC patterns
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OPC target patterns
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Merit
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Demerit
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Target Layers
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SB (Assist Bar)
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line width hole
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accurate correction
large DOF
enhancement
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Difficult mask
making
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gate
metal
contact
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Bias
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line width hole
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simple
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No accurate
correction
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gate
metal
contact
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Hammer head
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line-end hole
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simple
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No accurate
correction
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gate
metal
memory cell
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Serif
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line-end hole
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accurate correction
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Difficult mask
making
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contact
memory cell
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Jog
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line width
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accurate correction
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Difficult mask making
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metal
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| Optical Proximity Correction Photomask 를
제작하여 wafer 위에 pattern을 전사시킬 경우 노광장비의 Optical
Proximity Effect에 의하여 wafer 상의 pattern이 왜곡이
생기게 되는데 이를 보정하기 위하여 mask 제작 단계에서 pattern을
Correction하여 wafer 상에 원하는 pattern이 형성될 수 있도록
하는 기술이며, pattern 보정을 위한 방법으로는 그림과 같은 종류의 OPC
가 주로 사용된다. |
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